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FDMD8440L

FDMD8440L

참조 용

부품 번호 FDMD8440L
PNEDA 부품 번호 FDMD8440L
설명 FET ENGR DEV-NOT REL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,920
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMD8440L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMD8440L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMD8440L, FDMD8440L 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 608.78 KB)
PDFFDMD8440L 데이터 시트 표지
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FDMD8440L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs62nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4150pF @ 20V
전력-최대2.1W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지Power 3.3x5

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14Ohm

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

STS10DN3LH5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ V

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMP2900UV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AON6928

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

440pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

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