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FDMD8260LET60

FDMD8260LET60

참조 용

부품 번호 FDMD8260LET60
PNEDA 부품 번호 FDMD8260LET60
설명 MOSFET 2N-CH 60V 15A
제조업체 ON Semiconductor
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FDMD8260LET60 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMD8260LET60
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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PDFFDMD8260LET60 데이터 시트 표지
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FDMD8260LET60 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs68nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5245pF @ 30V
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-PowerWDFN
공급자 장치 패키지12-Power3.3x5

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2170pF @ 10V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

16V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 16V

전력-최대

710mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI8900EDB-T2-E1

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1.1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-UFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

ALD110914SAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.42V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

APTM100H46FT3G

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

552mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 25V

전력-최대

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