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FDG6332C

FDG6332C

참조 용

부품 번호 FDG6332C
PNEDA 부품 번호 FDG6332C
설명 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 281,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDG6332C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDG6332C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDG6332C, FDG6332C 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 314.24 KB)
PDFFDG6332C 데이터 시트 표지
FDG6332C 데이터 시트 페이지 2 FDG6332C 데이터 시트 페이지 3 FDG6332C 데이터 시트 페이지 4 FDG6332C 데이터 시트 페이지 5 FDG6332C 데이터 시트 페이지 6 FDG6332C 데이터 시트 페이지 7 FDG6332C 데이터 시트 페이지 8 FDG6332C 데이터 시트 페이지 9 FDG6332C 데이터 시트 페이지 10

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FDG6332C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)700mA, 600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds113pF @ 10V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88 (SC-70-6)

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.6mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1161pF @ 15V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

SI1958DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

205mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

105pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

SI5935DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 15µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1990pF @ 25V

전력-최대

41W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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SIS932EDN-T1-GE3

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제조업체

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 15V

전력-최대

2.6W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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