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FDG6320C

FDG6320C

참조 용

부품 번호 FDG6320C
PNEDA 부품 번호 FDG6320C
설명 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDG6320C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDG6320C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDG6320C, FDG6320C 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 300.32 KB)
PDFFDG6320C_D87Z 데이터 시트 표지
FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 2 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 3 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 4 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 5 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 6 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 7 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 8 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 9 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 10 FDG6320C_D87Z 데이터 시트 페이지 11

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FDG6320C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220mA, 140mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9.5pF @ 10V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88 (SC-70-6)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 32V

전력-최대

1.29W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI4340DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A, 9.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.14W, 1.43W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

SI3586DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

MMDF2P02ER2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FDC6306P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

441pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

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