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FDD8424H

FDD8424H

참조 용

부품 번호 FDD8424H
PNEDA 부품 번호 FDD8424H
설명 MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 288,684
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDD8424H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDD8424H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDD8424H, FDD8424H 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 469.72 KB)
PDFFDD8424H-F085A 데이터 시트 표지
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FDD8424H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A, 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1000pF @ 20V
전력-최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급자 장치 패키지TO-252-4L

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-TSST

TSM250N02DCQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

775pF @ 10V

전력-최대

620mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-TDFN (2x2)

UPA2381T1P-E1-A#YW

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTM100TA35SCTPG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

186nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP6-P

2N7002DWH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 25V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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