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EPC2108

EPC2108

참조 용

부품 번호 EPC2108
PNEDA 부품 번호 EPC2108
설명 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
제조업체 EPC
단가 견적 요청
재고 있음 23,286
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EPC2108 리소스

브랜드 EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EPC2108
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EPC2108, EPC2108 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 2,556.05 KB)
PDFEPC2108 데이터 시트 표지
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EPC2108 사양

제조업체EPC
시리즈eGaN®
FET 유형3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 기능GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V, 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.7A, 500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds22pF @ 30V, 7pF @ 30V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스9-VFBGA
공급자 장치 패키지9-BGA (1.35x1.35)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 15µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1470pF @ 25V

전력-최대

41W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-10

BUK9K52-60E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

725pF @ 25V

전력-최대

32W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

NTHD5902T1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5 nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

FDME1034CZT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A, 2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (1.6x1.6)

SI5933DC-T1-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

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