EPC2104ENG
참조 용
| 부품 번호 | EPC2104ENG |
| PNEDA 부품 번호 | EPC2104ENG |
| 설명 | GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
| 제조업체 | EPC |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,744 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EPC2104ENG 리소스
| 브랜드 | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EPC2104ENG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EPC2104ENG 사양
| 제조업체 | EPC |
| 시리즈 | eGaN® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 50V |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A, 41A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 12V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PG-TISON-8 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2600pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 65A Rds On (최대) @ Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 562nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15200pF @ 25V 전력-최대 1250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 469pF @ 10V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WSON (2x2) |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1500A Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.8mOhm @ 1200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2480nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Y3-Li 공급자 장치 패키지 Y3-Li |
