EMH10FHAT2R
참조 용
| 부품 번호 | EMH10FHAT2R |
| PNEDA 부품 번호 | EMH10FHAT2R |
| 설명 | NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 82,584 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EMH10FHAT2R 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EMH10FHAT2R |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 |
| 데이터 시트 |
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EMH10FHAT2R 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| 저항-베이스 (R1) | 2.2kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | 47kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| 주파수-전환 | 250MHz |
| 전력-최대 | 150mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | EMT6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 US6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) - 주파수-전환 100MHz 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA (ICBO) 주파수-전환 250MHz 전력-최대 150mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지 EMT3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 500mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
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