EM6M1T2R
참조 용
| 부품 번호 | EM6M1T2R |
| PNEDA 부품 번호 | EM6M1T2R |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 254,610 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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EM6M1T2R 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | EM6M1T2R |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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EM6M1T2R 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V, 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA, 200mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13pF @ 5V |
| 전력-최대 | 150mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | EMT6 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 105nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 17-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지 ISOPLUS-DIL™ |
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