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EFC3J018NUZTDG

EFC3J018NUZTDG

참조 용

부품 번호 EFC3J018NUZTDG
PNEDA 부품 번호 EFC3J018NUZTDG
설명 NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
제조업체 ON Semiconductor
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EFC3J018NUZTDG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EFC3J018NUZTDG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EFC3J018NUZTDG, EFC3J018NUZTDG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 638.29 KB)
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EFC3J018NUZTDG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)23A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대2.5W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지6-WLCSP (1.77x3.05)

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80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.3A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 25V

전력-최대

27W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

BSD235NH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.6µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

63pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

DMP3028LSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1241pF @ 15V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDS6982AS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 8.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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