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EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR

EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR

참조 용

부품 번호 EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR
PNEDA 부품 번호 EDFP112A3PF-GDTJ-F-R-TR
설명 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR
분류반도체메모리 IC기억

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EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기24Gb (192M x 128)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Winbond Electronics

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

84-PGA (27.94x27.94)

MT41J256M8HX-15E IT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

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