DTC115EET1G
참조 용
| 부품 번호 | DTC115EET1G |
| PNEDA 부품 번호 | DTC115EET1G |
| 설명 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 152,796 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DTC115EET1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DTC115EET1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 |
| 데이터 시트 |
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DTC115EET1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 100 kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | 100 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500nA |
| 주파수-전환 | - |
| 전력-최대 | 200mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-75, SOT-416 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 저항-베이스 (R1) 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) - 주파수-전환 250MHz 전력-최대 150mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지 EMT3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 260mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-723 공급자 장치 패키지 SOT-723 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SOT-323 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V 저항-베이스 (R1) 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 500 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 700mW 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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