DSAI75-12B
참조 용
| 부품 번호 | DSAI75-12B |
| PNEDA 부품 번호 | DSAI75-12B |
| 설명 | DIODE AVALANCHE 1.2KV 110A DO203 |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,590 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DSAI75-12B 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DSAI75-12B |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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DSAI75-12B 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Avalanche |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 110A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.17V @ 150A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 6mA @ 1200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AB, DO-5, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-203AB |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 180°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1µs 전류-역방향 누설 @ Vr 3µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 660mV @ 16A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 35V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 ITO-220AC 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 115ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 DPAK 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 600mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 600mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 MPG06, Axial 공급자 장치 패키지 MPG06 작동 온도-접합 -65°C ~ 125°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 10A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 340µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
