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DS2502P/T&R

DS2502P/T&R

참조 용

부품 번호 DS2502P/T&R
PNEDA 부품 번호 DS2502P-T-R_5B
설명 IC EPROM 1K 1WIRE 6TSOC
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 2,574
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DS2502P/T&R 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DS2502P/T&R
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
DS2502P/T&R, DS2502P/T&R 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 677.18 KB)
PDFDS2502X1+U 데이터 시트 표지
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  • DS2502P/T&R Distributor

DS2502P/T&R 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스1-Wire®
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.8V ~ 6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
공급자 장치 패키지6-TSOC

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

8Gb (128M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS65WV102416DBLL-55CTLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

W25N01GVZEIG TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (8x6)

MT29TZZZ7D7JKKBT-107 W.97V TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT45W512KW16PEGA-70 WT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

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