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DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

참조 용

부품 번호 DMTH6005LK3Q-13
PNEDA 부품 번호 DMTH6005LK3Q-13
설명 MOSFET NCH 60V 90A TO252
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMTH6005LK3Q-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH6005LK3Q-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH6005LK3Q-13, DMTH6005LK3Q-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 395.11 KB)
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  • DMTH6005LK3Q-13 Distributor

DMTH6005LK3Q-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs47.1nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2962pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252-4L
패키지 / 케이스TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0.9V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

26pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

EMT3F (SOT-416FL)

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

FKI07076

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.9mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

91.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

42W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IPD650P06NMATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1.04mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPW60R190E6FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 630µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 100V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

151W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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공급자 장치 패키지

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 150µA

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126nC @ 10V

Vgs (최대)

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전력 손실 (최대)

214W (Tc)

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