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DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

참조 용

부품 번호 DMTH43M8LK3Q-13
PNEDA 부품 번호 DMTH43M8LK3Q-13
설명 MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
제조업체 Diodes Incorporated
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DMTH43M8LK3Q-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMTH43M8LK3Q-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMTH43M8LK3Q-13, DMTH43M8LK3Q-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 397.91 KB)
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  • DMTH43M8LK3Q-13 Distributor

DMTH43M8LK3Q-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2693pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)88W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3130pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

89W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

IRFI740BTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 134W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NVF6P02T3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

8.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223 (TO-261)

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

196nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

890W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.8A (Ta), 30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3220pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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