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DMP2004DWK-7

DMP2004DWK-7

참조 용

부품 번호 DMP2004DWK-7
PNEDA 부품 번호 DMP2004DWK-7
설명 MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP2004DWK-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP2004DWK-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMP2004DWK-7, DMP2004DWK-7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 226.99 KB)
PDFDMP2004DWK-7 데이터 시트 표지
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  • DMP2004DWK-7 Distributor

DMP2004DWK-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)430mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds175pF @ 16V
전력-최대250mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

175pF @ 38V

전력-최대

15.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

NTJD1155LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

400mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

PHC2300,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

340mA, 235mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

102pF @ 50V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMC3400SDW-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

650mA, 450mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 15V

전력-최대

310mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BSO211PNTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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