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DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

참조 용

부품 번호 DMN32D4SDW-13
PNEDA 부품 번호 DMN32D4SDW-13
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 7,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN32D4SDW-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN32D4SDW-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN32D4SDW-13, DMN32D4SDW-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 342.69 KB)
PDFDMN32D4SDW-13 데이터 시트 표지
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  • DMN32D4SDW-13 Distributor

DMN32D4SDW-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)650mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 15V
전력-최대290mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

162mOhm @ 1A, 1.8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

595pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

9-DSBGA

IRF9358PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1740pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NVMFD5489NLWFT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

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장착 유형

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

10Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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