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DMN3053L-13

DMN3053L-13

참조 용

부품 번호 DMN3053L-13
PNEDA 부품 번호 DMN3053L-13
설명 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
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DMN3053L-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3053L-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN3053L-13, DMN3053L-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 350.55 KB)
PDFDMN3053L-13 데이터 시트 표지
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  • DMN3053L-13 Distributor

DMN3053L-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17.2nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds676pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)760mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

127nC @ 15V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.12W (Ta), 166W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3830pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

7.3W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

PSMN0R9-25YLDX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.85mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

89.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6721pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

238W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3220pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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