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DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

참조 용

부품 번호 DMN3005LK3-13
PNEDA 부품 번호 DMN3005LK3-13
설명 MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
제조업체 Diodes Incorporated
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DMN3005LK3-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3005LK3-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN3005LK3-13, DMN3005LK3-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 257.65 KB)
PDFDMN3005LK3-13 데이터 시트 표지
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  • DMN3005LK3-13 Distributor

DMN3005LK3-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs46.9nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4342pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.68W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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12.5A (Ta), 110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3440pF @ 20V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRLU3114ZPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3810pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

AUIRF1324STRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.65mOhm @ 195A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

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Vgs (최대)

±20V

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1440pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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