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DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

참조 용

부품 번호 DMN26D0UDJ-7
PNEDA 부품 번호 DMN26D0UDJ-7
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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DMN26D0UDJ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN26D0UDJ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN26D0UDJ-7, DMN26D0UDJ-7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 325.57 KB)
PDFDMN26D0UDJ-7 데이터 시트 표지
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  • DMN26D0UDJ-7 Distributor

DMN26D0UDJ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)240mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14.1pF @ 15V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-963
공급자 장치 패키지SOT-963

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

604pF @ 20V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SH8M24TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

2N7002DW-13-G

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CAS300M17BM2

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Cree/Wolfspeed

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

325A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1076nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 1000V

전력-최대

1760W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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