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DMC31D5UDJ-7

DMC31D5UDJ-7

참조 용

부품 번호 DMC31D5UDJ-7
PNEDA 부품 번호 DMC31D5UDJ-7
설명 MOSFET N/P-CH 30V SOT963
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC31D5UDJ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC31D5UDJ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC31D5UDJ-7, DMC31D5UDJ-7 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 344.34 KB)
PDFDMC31D5UDJ-7 데이터 시트 표지
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DMC31D5UDJ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.38nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds22.6pF @ 15V
전력-최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-963
공급자 장치 패키지SOT-963

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시리즈

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FET 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

467pF @ 6V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

DMC25D1UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA, 3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.6pF @ 10V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

SI1913DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1090pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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