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DF900R12IP4DVBOSA1

DF900R12IP4DVBOSA1

참조 용

부품 번호 DF900R12IP4DVBOSA1
PNEDA 부품 번호 DF900R12IP4DVBOSA1
설명 PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,964
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DF900R12IP4DVBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DF900R12IP4DVBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
DF900R12IP4DVBOSA1, DF900R12IP4DVBOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,763.05 KB)
PDFDF900R12IP4DVBOSA1 데이터 시트 표지
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  • DF900R12IP4DVBOSA1 Distributor

DF900R12IP4DVBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)900A
전력-최대5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce54nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

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POWIR® 62

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

650A

전력-최대

3150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

27nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전력-최대

370W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y4-M5

공급자 장치 패키지

Y4-M5

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

145W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

76µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

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