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DDB2U30N08VRBOMA1

DDB2U30N08VRBOMA1

참조 용

부품 번호 DDB2U30N08VRBOMA1
PNEDA 부품 번호 DDB2U30N08VRBOMA1
설명 IGBT MODULE 800V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,794
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DDB2U30N08VRBOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DDB2U30N08VRBOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
DDB2U30N08VRBOMA1, DDB2U30N08VRBOMA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 237.36 KB)
PDFDDB2U30N08VRBOMA1 데이터 시트 표지
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  • DDB2U30N08VRBOMA1 Distributor

DDB2U30N08VRBOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성3 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)25A
전력-최대83.5W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce880pF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.35nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT100DU170TG

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

560W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전력-최대

100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 16A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

MiniPack2

공급자 장치 패키지

MiniPack2

APTGTQ200A65T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

483W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP3F

FS10R12YE3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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