BZX55B10-TAP
참조 용
| 부품 번호 | BZX55B10-TAP |
| PNEDA 부품 번호 | BZX55B10-TAP |
| 설명 | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 227,424 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택) |
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BZX55B10-TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZX55B10-TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZX55B10-TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 10V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 15 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 7.5V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/437 전압-제너 (Nom) (Vz) 13V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 90 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10nA @ 11.7V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AA (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AA |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 - 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 35 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 9.5V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 29 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지 Mini MELF |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 10V 공차 ±10% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 7 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 7.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) |
