BZT52B2V4-HE3-08
참조 용
| 부품 번호 | BZT52B2V4-HE3-08 |
| PNEDA 부품 번호 | BZT52B2V4-HE3-08 |
| 설명 | DIODE ZENER 2.4V 410MW SOD123 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,030 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZT52B2V4-HE3-08 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZT52B2V4-HE3-08 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZT52B2V4-HE3-08 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 2.4V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 410mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 85 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | - |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123 |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-123 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/435 전압-제너 (Nom) (Vz) 2.4V 공차 ±1% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 1.4 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 (DO-204AH) |
제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 6.8V 공차 ±3% 전력-최대 125mW 임피던스 (최대) (Zzt) 8 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 5.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 0402 (1006 Metric) 공급자 장치 패키지 0402 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 17V 공차 ±10% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10nA @ 14V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 DO-213AB |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 22V 공차 ±20% 전력-최대 1.5W 임피던스 (최대) (Zzt) 17.5 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 16.7V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
