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BZS55C4V3 RXG

BZS55C4V3 RXG

참조 용

부품 번호 BZS55C4V3 RXG
PNEDA 부품 번호 BZS55C4V3-RXG
설명 DIODE ZENER 4.3V 500MW 1206
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZS55C4V3 RXG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZS55C4V3 RXG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZS55C4V3 RXG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.3V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스1206 (3216 Metric)
공급자 장치 패키지1206

관심을 가질만한 제품

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Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 35.75V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

MMSZ5230ET1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

19 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

JANTX1N752A-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/127

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N5938C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SMBG5942BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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