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BZG05C13-HM3-08

BZG05C13-HM3-08

참조 용

부품 번호 BZG05C13-HM3-08
PNEDA 부품 번호 BZG05C13-HM3-08
설명 DIODE ZENER 13V 1.25W DO214AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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예상 배송 7월 6 - 7월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZG05C13-HM3-08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZG05C13-HM3-08
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZG05C13-HM3-08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M
전압-제너 (Nom) (Vz)13V
공차±6.54%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 10V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)

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시리즈

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10V

공차

±5%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

50 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 98.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5.625%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZG03B180-M3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG03B-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

400 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 130V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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