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BZD27C6V8P RQG

BZD27C6V8P RQG

참조 용

부품 번호 BZD27C6V8P RQG
PNEDA 부품 번호 BZD27C6V8P-RQG
설명 DIODE ZENER 6.8V 1W SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 13 - 11월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZD27C6V8P RQG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZD27C6V8P RQG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZD27C6V8P RQG, BZD27C6V8P RQG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 188.73 KB)
PDFBZD27C9V1P RUG 데이터 시트 표지
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BZD27C6V8P RQG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±5.88%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)3 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

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전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

575 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 114V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

BZT52C3V6-13-G

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N4582-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

JANTX1N4964C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

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