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BUK626R2-40C,118

BUK626R2-40C,118

참조 용

부품 번호 BUK626R2-40C,118
PNEDA 부품 번호 BUK626R2-40C-118
설명 MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 45,090
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예상 배송 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK626R2-40C 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK626R2-40C,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK626R2-40C, BUK626R2-40C 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 755.03 KB)
PDFBUK626R2-40C 데이터 시트 표지
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BUK626R2-40C 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs67nC @ 10V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3720pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)128W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

193mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1081pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 8 x 8

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IXFH80N085

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXFH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

GP1M003A080CH

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

696pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPLU250N04S41R7XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7900pF @ 25V

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-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2960pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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