BSS84PH6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSS84PH6327XTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSS84PH6327XTSA1 |
| 설명 | MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,580 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSS84PH6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSS84PH6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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BSS84PH6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | SIPMOS® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 170mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 19pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 360mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Sawn on foil 패키지 / 케이스 Die |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ V FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 104nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4329pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 190W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 790pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (8x8) HV 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 450mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 510pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
