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BSR58LT1G

BSR58LT1G

참조 용

부품 번호 BSR58LT1G
PNEDA 부품 번호 BSR58LT1G
설명 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,680
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSR58LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSR58LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
BSR58LT1G, BSR58LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 91.96 KB)
PDFBSR58LT1G 데이터 시트 표지
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BSR58LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id800mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)60 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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20V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

2mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4.5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

TF202THC-L5-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

VTFP

BSV80

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

2N5115JTXV02

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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