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BLP10H603Z

BLP10H603Z

참조 용

부품 번호 BLP10H603Z
PNEDA 부품 번호 BLP10H603Z
설명 RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,394
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP10H603Z 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP10H603Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BLP10H603Z 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득22.8dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트15mA
전원-출력2.5W
전압-정격104V
패키지 / 케이스12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-HVSON (6x5)

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.12GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

44W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

BLF189XRBU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

108MHz

이득

26dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

1900W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

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