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BLM7G1822S-80ABY

BLM7G1822S-80ABY

참조 용

부품 번호 BLM7G1822S-80ABY
PNEDA 부품 번호 BLM7G1822S-80ABY
설명 RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,108
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 18 - 6월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLM7G1822S-80ABY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLM7G1822S-80ABY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLM7G1822S-80ABY, BLM7G1822S-80ABY 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,406.06 KB)
PDFBLM7G1822S-80ABGY 데이터 시트 표지
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BLM7G1822S-80ABY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.17GHz
이득31dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트40mA
전원-출력4W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1211-2
공급자 장치 패키지16-HSOPF

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트랜지스터 유형

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주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

250W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

19.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

34W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

PD57018TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

36A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

43W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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