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BLF8G27LS-100PJ

BLF8G27LS-100PJ

참조 용

부품 번호 BLF8G27LS-100PJ
PNEDA 부품 번호 BLF8G27LS-100PJ
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,572
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G27LS-100PJ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G27LS-100PJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G27LS-100PJ, BLF8G27LS-100PJ 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 936.75 KB)
PDFBLF8G27LS-100PU 데이터 시트 표지
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  • BLF8G27LS-100PJ Distributor

BLF8G27LS-100PJ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.5GHz ~ 2.7GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트860mA
전원-출력25W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1121B
공급자 장치 패키지LDMOST

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NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS (Dual)

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920MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

860mA

전원-출력

100W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

OM780-4

공급자 장치 패키지

OM780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

IXZR08N120

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

250W

전압-정격

1200V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

PTFA212001FV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

18.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

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