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BLF4G20-110B,112

BLF4G20-110B,112

참조 용

부품 번호 BLF4G20-110B,112
PNEDA 부품 번호 BLF4G20-110B-112
설명 FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,784
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF4G20-110B 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF4G20-110B,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF4G20-110B, BLF4G20-110B 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 121.46 KB)
PDFBLF4G20S-110B 데이터 시트 표지
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BLF4G20-110B 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz ~ 1.99GHz
이득13.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)12A
소음 수치-
현재-테스트700mA
전원-출력100W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S GW

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S GULL

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

23.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

30mA

전원-출력

10W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270G-2

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel GaAs HJ-FET

주파수

12GHz

이득

13dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

0.65dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-Super Mini Mold

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

MRF377HR5

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

18.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

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