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BLF2425M7L100J

BLF2425M7L100J

참조 용

부품 번호 BLF2425M7L100J
PNEDA 부품 번호 BLF2425M7L100J
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 5,220
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF2425M7L100J 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF2425M7L100J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF2425M7L100J, BLF2425M7L100J 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 959.79 KB)
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BLF2425M7L100J 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.3GHz ~ 2.4GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력20W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

관심을 가질만한 제품

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NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

225MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.6A

전원-출력

125W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

PTVA120501EAV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SK2854(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

849MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

23dBmW

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PW-MINI

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

3.5GHz

이득

10dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30.5dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

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