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BFP193E6327HTSA1

BFP193E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BFP193E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP193E6327HTSA1
설명 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 51,630
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP193E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP193E6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • BFP193E6327HTSA1 Distributor

BFP193E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득12dB ~ 18dB
전력-최대580mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지PG-SOT143-4

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주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

이득

12.5dB ~ 14dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

KSC1393RTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

주파수-전환

700MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

이득

20dB ~ 24dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MS2201

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

9dB

전력-최대

10W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

0.95 @ 10mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

250mA

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M220

공급자 장치 패키지

M220

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

360mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

BFQ31ATA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

이득

-

전력-최대

330mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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