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BF908R,235

BF908R,235

참조 용

부품 번호 BF908R,235
PNEDA 부품 번호 BF908R-235
설명 MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,628
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF908R 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF908R,235
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF908R, BF908R 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 258.33 KB)
PDFBF908R 데이터 시트 표지
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BF908R 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수200MHz
이득-
전압-테스트8V
전류 정격 (Amps)40mA
소음 수치0.6dB
현재-테스트15mA
전원-출력-
전압-정격12V
패키지 / 케이스SOT-143R
공급자 장치 패키지SOT-143R

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

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225MHz

이득

27.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

3.6A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

20W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT467C

공급자 장치 패키지

SOT467C

2SK209-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

1kHz

이득

-

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

1dB

현재-테스트

500µA

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

15.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

360W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-3

공급자 장치 패키지

SOT-1258-3

PTFA080551F V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.3GHz

이득

14.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

280mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

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