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BF1101,215

BF1101,215

참조 용

부품 번호 BF1101,215
PNEDA 부품 번호 BF1101-215
설명 MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,752
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1101 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1101,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF1101, BF1101 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 373.3 KB)
PDFBF1101WR 데이터 시트 표지
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BF1101 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수800MHz
이득-
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치1.7dB
현재-테스트12mA
전원-출력-
전압-정격7V
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지SOT-143B

관심을 가질만한 제품

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

37A

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

SD2932BW

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

18.6dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

110mA

전원-출력

12.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-DFN (4x6)

IXZH16N60

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

1mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

350W

전압-정격

600V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

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