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BBY 66-05 E6327

BBY 66-05 E6327

참조 용

부품 번호 BBY 66-05 E6327
PNEDA 부품 번호 BBY-66-05-E6327
설명 DIODE TUNING 12V 50MA SOT-23
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BBY 66-05 E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BBY 66-05 E6327
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드

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  • BBY 66-05 E6327 Distributor

BBY 66-05 E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F13.5pF @ 4.5V, 1MHz
커패시턴스 비율5.41
커패시턴스 비율 조건C1/C4.5
전압-피크 역방향 (최대)12V
다이오드 유형1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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커패시턴스 비율

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커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

5.4pF @ 7.5V, 1MHz

커패시턴스 비율

5.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C7.5

전압-피크 역방향 (최대)

10V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

1SV281(TPH3,F)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

8.7pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

2

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

10V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

ESC

BB 555-02V E7902

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.3pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

9.8

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

BB153,115

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.754pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

15

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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