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BBL4001-1E

BBL4001-1E

참조 용

부품 번호 BBL4001-1E
PNEDA 부품 번호 BBL4001-1E
설명 MOSFET N-CH 60V 74A TO220
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BBL4001-1E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BBL4001-1E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BBL4001-1E, BBL4001-1E 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 227.77 KB)
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BBL4001-1E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)74A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs135nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6900pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXFN32N80P

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제조업체

IXYS

시리즈

PolarHV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8820pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

625W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227B

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

N0604N-S19-AY

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

82A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220 Isolated Tab

패키지 / 케이스

TO-220-3 Isolated Tab

STFW20N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M5

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1434pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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-

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

177pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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