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BAR61E6327HTSA1

BAR61E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BAR61E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BAR61E6327HTSA1
설명 RF DIODE PIN 100V 250MW SOT143
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 7,110
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예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR61E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR61E6327HTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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PDFBAR161E6327HTSA1 데이터 시트 표지
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  • BAR61E6327HTSA1 Price
  • BAR61E6327HTSA1 Distributor

BAR61E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - PI Element
전압-피크 역방향 (최대)100V
현재-최대140mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F12Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지-

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

UPP1002/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.6pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

1SV251-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

BA783-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

CLA4603-991

Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

-

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