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BAP1321LX,315

BAP1321LX,315

참조 용

부품 번호 BAP1321LX,315
PNEDA 부품 번호 BAP1321LX-315
설명 RF DIODE PIN 60V 130MW 2DFN
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,304
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP1321LX 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP1321LX,315
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP1321LX, BAP1321LX 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 230.84 KB)
PDFBAP1321LX 데이터 시트 표지
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BAP1321LX 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)60V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.28pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1.3Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)130mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스2-XDFN
공급자 장치 패키지2-DFN1006D (0.6x1.0)

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

200mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.05pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 10mA, 500MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

16pF @ 2V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

fSC

BAT15099E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT143-4

HSMP-3860-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

HSMS-286B-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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