AUIRF2804STRL
참조 용
| 부품 번호 | AUIRF2804STRL |
| PNEDA 부품 번호 | AUIRF2804STRL |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,128 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AUIRF2804STRL 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AUIRF2804STRL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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AUIRF2804STRL 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 195A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6450pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 300W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 92A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2150pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 79W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 915mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs (최대) ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 110pF @ 16V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300mW (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-75, SOT-416 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 64nC @ 5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2200pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.2Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 175pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 69W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-251AA 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
