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AT29C020-90PI

AT29C020-90PI

참조 용

부품 번호 AT29C020-90PI
PNEDA 부품 번호 AT29C020-90PI
설명 IC FLASH 2M PARALLEL 32DIP
제조업체 Microchip Technology
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AT29C020-90PI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT29C020-90PI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT29C020-90PI, AT29C020-90PI 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 244.41 KB)
PDFAT29C020-70TI 데이터 시트 표지
AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 2 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 3 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 4 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 5 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 6 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 7 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 8 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 9 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 10 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 11

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AT29C020-90PI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간90ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스32-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지32-PDIP

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-VFBGA

공급자 장치 패키지

134-FBGA (10x11.5)

SST26VF032B-104V/SM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST26 SQI®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIJ

N25Q256A13E1241E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (64M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

제조업체

Macronix

시리즈

MX29GL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFBGA

공급자 장치 패키지

56-TFBGA (7x9)

7132LA20J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

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