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AT28C64B-15JC

AT28C64B-15JC

참조 용

부품 번호 AT28C64B-15JC
PNEDA 부품 번호 AT28C64B-15JC
설명 IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 41,353
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AT28C64B-15JC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT28C64B-15JC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT28C64B-15JC, AT28C64B-15JC 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 203.32 KB)
PDFAT28C64B-15TI 데이터 시트 표지
AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 2 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 3 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 4 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 5 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 6 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 7 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 8 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 9 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 10 AT28C64B-15TI 데이터 시트 페이지 11

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AT28C64B-15JC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간150ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (13.97x11.43)

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Xccela Bus

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

IS42S83200D-75ETLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

AT24C08C-SSHM-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS61LPS25636A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

MT25QL512ABA8E12-0SIT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

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