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AT27C512R-15PC

AT27C512R-15PC

참조 용

부품 번호 AT27C512R-15PC
PNEDA 부품 번호 AT27C512R-15PC
설명 IC EPROM 512K PARALLEL 28DIP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 5,544
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AT27C512R-15PC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT27C512R-15PC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT27C512R-15PC, AT27C512R-15PC 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 169.24 KB)
PDFAT27C512R-90RA 데이터 시트 표지
AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 2 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 3 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 4 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 5 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 6 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 7 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 8 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 9 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 10 AT27C512R-90RA 데이터 시트 페이지 11

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AT27C512R-15PC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간150ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스28-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지28-PDIP

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 8 x 2)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IS42VM32800K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

M95020-DWDW4TP/K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 145°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY7C1007B-15VXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (1M x 1)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

IS45S32200E-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (2M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

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