AS4C8M16SA-6BAN
참조 용
| 부품 번호 | AS4C8M16SA-6BAN |
| PNEDA 부품 번호 | AS4C8M16SA-6BAN |
| 설명 | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,364 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AS4C8M16SA-6BAN 리소스
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AS4C8M16SA-6BAN 사양
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM |
| 메모리 크기 | 128Mb (8M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 166MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 12ns |
| 접근 시간 | 5ns |
| 전압-공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 54-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 54-TFBGA (8x8) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (1K x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 1MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 550ns 전압-공급 1.7V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFBGA 공급자 장치 패키지 8-VFBGA (1.5x2) |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 20ns 접근 시간 20ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지 32-SOJ |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 GL-N 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 90ns 접근 시간 90ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP |
