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AS4C4M32MSA-6BINTR

AS4C4M32MSA-6BINTR

참조 용

부품 번호 AS4C4M32MSA-6BINTR
PNEDA 부품 번호 AS4C4M32MSA-6BINTR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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재고 있음 5,544
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C4M32MSA-6BINTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C4M32MSA-6BINTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C4M32MSA-6BINTR, AS4C4M32MSA-6BINTR 데이터 시트 (총 페이지: 47, 크기: 1,269.06 KB)
PDFAS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 표지
AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 2 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 3 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 4 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 5 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 6 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 7 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 8 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 9 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 10 AS4C4M32MSA-6BIN 데이터 시트 페이지 11

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  • AS4C4M32MSA-6BINTR Distributor

AS4C4M32MSA-6BINTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile
메모리 크기128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간5.5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-VFBGA
공급자 장치 패키지90-FBGA (8x13)

관심을 가질만한 제품

70V3389S4BF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (64K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-CABGA (15x15)

MT28F640J3FS-115 ET TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

115ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-FBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (10x13)

CAT24C01YI-G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SST25VF040B-50-4C-SAF-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

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